Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2020

Հատոր:

55

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Պետրոսյան Ս. Գ., Խաչատրյան Վ.Ա., Ներսեսյան Ս. Ռ., Petrosyan S. G., Khachatryan V. A., Nersesyan S. R.

Այլ վերնագիր:

Մակերևույթային ռեկոմբինացիայի ազդեցությունը շառավղային p-n-անցումով միայնակ նանոլարի վրա հիմնված արեգակնային տարրի պարապ ընթացքի լարման վրա; The Effect of Surface Recombination on the Open Circuit Voltage of a Solar Cell Based on a Single Nanowire with a Radial p-n-Junction

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

343-357

Ամփոփում:

Предложена аналитическая модель для изучения влияния поверхностной рекомбинации на характеристики солнечного элемента на основе нанопроволоки с радиальным p-n-переходом, образованным между ее «сердцевиной» и «оболочкой» разного типа проводимости. Աշխատանքում առաջարկված է անալիտիկական մոդել տարբեր տիպի հաղորդականությամբ` միջուկ-պատյան կառուցվածքով և շառավղային p-n-անցումով օժտված միայնակ նանոլարի վրա հիմնված արեգակնային տարրի բնութագրերի վրա մակերևույթային ռեկոմբինացիայի ազդեցության գնահատման համար: An analytical model is proposed for studying the effect of surface recombination on the characteristics of a solar cell based on a nanowire with a radial p-n junction formed between its ‘core’ and ‘shell’ of different types of conductivity.

Հրատարակիչ:

Հայաստանի ԳԱԱ

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:256469

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան