Влияние поверхностной рекомбинации на напряжение холостого хода солнечного элемента на основе одиночной нанопроволоки с радиальным p-n-переходом

Մակերևույթային ռեկոմբինացիայի ազդեցությունը շառավղային p-n-անցումով միայնակ նանոլարի վրա հիմնված արեգակնային տարրի պարապ ընթացքի լարման վրա; The Effect of Surface Recombination on the Open Circuit Voltage of a Solar Cell Based on a Single Nanowire with a Radial p-n-Junction

Петросян, С. Г. ; Хачатрян, В. А. ; Нерсесян, С. Р.

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics

343-357

Предложена аналитическая модель для изучения влияния поверхностной рекомбинации на характеристики солнечного элемента на основе нанопроволоки с радиальным p-n-переходом, образованным между ее «сердцевиной» и «оболочкой» разного типа проводимости. Աշխատանքում առաջարկված է անալիտիկական մոդել տարբեր տիպի հաղորդականությամբ` միջուկ-պատյան կառուցվածքով և շառավղային p-n-անցումով օժտված միայնակ նանոլարի վրա հիմնված արեգակնային տարրի բնութագրերի վրա մակերևույթային ռեկոմբինացիայի ազդեցության գնահատման համար: An analytical model is proposed for studying the effect of surface recombination on the characteristics of a solar cell based on a nanowire with a radial p-n junction formed between its ‘core’ and ‘shell’ of different types of conductivity.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան