Օբյեկտ

Վերնագիր: THEORY OF GAS SENSOR MADE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH NANOTUBES

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2012

Հատոր:

5

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Ծածկույթ:

15-20

Ամփոփում:

We present a mathematical model of nanotube-based gas sensor. We consider a gas sensor as a back gate field-effect transistor with nanotube channel. A sensitivity of nanotube in gas media and back gate field-effect transistor current-voltage characteristics were modeled.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2012-04-17

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23314

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

33

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26043

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
THEORY OF GAS SENSOR MADE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH NANOTUBES Dec 13, 2023

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն