Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2012

Հատոր:

5

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

THEORY OF GAS SENSOR MADE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH NANOTUBES

Ստեղծողը:

V. M. Aroutiounian ; B. V. Mnatsakanyan

Խորագիր:

Physics ; Electronic structure and electrical properties of surfaces

Ծածկույթ:

15-20

Ամփոփում:

We present a mathematical model of nanotube-based gas sensor. We consider a gas sensor as a back gate field-effect transistor with nanotube channel. A sensitivity of nanotube in gas media and back gate field-effect transistor current-voltage characteristics were modeled.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2012-04-17

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան