Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2020

Volume:

55

Number:

1

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Additional Information:

Katkov M. V., Ayvazyan G. Y., Shayapov V. R., Lebedev M. S., Կատկով Մ. Վ., Այվազյան Գ. Ե., Շայապով Վ. Ռ., Լեբեդև Մ. Ս.

Other title:

Modeling of the Optical Properties of Black Silicon Passivated by Thin Films of Metal Oxides ; Մետաղական օքսիդների բարակ թաղանթներով պասսիվացված սև սիլիցիումի օպտիկական հատկությունների մոդելավորումը

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

24-32

Abstract:

Ժամանակային տիրույթում վերջավոր տարբերությունների (FDTD) մեթոդով ուսումնասիրվել են սև սիլիցիումի (b-Si) շերտերի օպտիկական հատկությունները, որոնք պասսիվացված են ատոմաշերտային նստեցման (ALD) մեթոդով ստացված տարբեր մետաղական օքսիդների (Al2O3, TiO2, HfO2 և Sc2O3) թաղանթներով: FDTD մոդելավորման արդյունքները վկայում են սպեկտրային լայն տիրույթում b-Si/ALD թաղանթ-կառուցվածքների հակաանդրադարձնող հատկությունների լավացումը: Ցույց է տրվել թաղանթի օպտիմալ հաստության ընտրության անհրաժեշտությունը: Using the Finite Difference Time Domain (FDTD) method, we studied the optical properties of black silicon (b-Si) layers passivated with various metal oxides (Al2O3, TiO2, HfO2, and Sc2O3) films, obtained by atomic layer deposition (ALD) method. The results of FDTD modeling indicate an improvement in the antireflection properties of b-Si/ALD film structures in the wide spectral range. The necessity of choosing the optimal film thickness is shown.

Publisher:

Հայաստանի ԳԱԱ

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:167871

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան