Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2020

Հատոր:

55

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Katkov M. V., Ayvazyan G. Y., Shayapov V. R., Lebedev M. S., Կատկով Մ. Վ., Այվազյան Գ. Ե., Շայապով Վ. Ռ., Լեբեդև Մ. Ս.

Այլ վերնագիր:

Modeling of the Optical Properties of Black Silicon Passivated by Thin Films of Metal Oxides ; Մետաղական օքսիդների բարակ թաղանթներով պասսիվացված սև սիլիցիումի օպտիկական հատկությունների մոդելավորումը

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

24-32

Ամփոփում:

Ժամանակային տիրույթում վերջավոր տարբերությունների (FDTD) մեթոդով ուսումնասիրվել են սև սիլիցիումի (b-Si) շերտերի օպտիկական հատկությունները, որոնք պասսիվացված են ատոմաշերտային նստեցման (ALD) մեթոդով ստացված տարբեր մետաղական օքսիդների (Al2O3, TiO2, HfO2 և Sc2O3) թաղանթներով: FDTD մոդելավորման արդյունքները վկայում են սպեկտրային լայն տիրույթում b-Si/ALD թաղանթ-կառուցվածքների հակաանդրադարձնող հատկությունների լավացումը: Ցույց է տրվել թաղանթի օպտիմալ հաստության ընտրության անհրաժեշտությունը: Using the Finite Difference Time Domain (FDTD) method, we studied the optical properties of black silicon (b-Si) layers passivated with various metal oxides (Al2O3, TiO2, HfO2, and Sc2O3) films, obtained by atomic layer deposition (ALD) method. The results of FDTD modeling indicate an improvement in the antireflection properties of b-Si/ALD film structures in the wide spectral range. The necessity of choosing the optimal film thickness is shown.

Հրատարակիչ:

Հայաստանի ԳԱԱ

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:167871

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան