Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2016

Հատոր:

51

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Միաէլեկտրոնային վիճակները մեծ շառավղով կիսահաղորդչային նանոգնդային շերտում; Single-electron states in semiconductor nanospherical layer of large radius

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

471-483

Ամփոփում:

В режиме сильного квантования рассмотрены одночастичные состояния в сферическом нанослое ядро/оболочка/оболочка. Соотношение между геометрическими размерами соответствующих компонент образца выбраны так, что различия между характеристиками материалов компонент структуры формируют в среднем слое композиции квантовую яму для носителей заряда. Դիտարկված են միամասնիկային վիճակները գնդային միջուկ/թաղանթ/թաղանթ նանոշերտում ուժեղ քվանտացման ռեժիմում: Դիտարկումն իրականացված է այնպիսի կառուցվածքների համար, որոնցում բաղադրիչների երկրաչափական չափերի հարաբերություններն ու նրանց նյութերի հատկությունների տարբերությունը բերում է նրան, որ կառուցվածքի միջին շերտը լիցքակիրների համար սկսում է հանդես գալ որպես քվանտային փոս: The single-particle states in spherical core/shell/shell nanolayer in strong quantization regime were considered. The ratio between the geometrical dimensions of the corresponding components of the sample was chosen such that the differences between the characteristics of materials form a quantum well for charge carriers in the middle layer. The adequate approximation approaches to analytically determine the energy spectrum and the wave functions of the singleelectron states in spherical nanolayer were suggested.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2016-10-11

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134716

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան