Ցոյց տուր կառուցուածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2016

Հատոր:

51

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Эффект смещения края поглощения в кремниевой нанопроволоке

Այլ վերնագիր:

Կլանման եզրի շեղման երևույթը սիլիցիումային նանոլարում; Shifting effect of the absorption edge in the silicon nanowire

Ստեղծողը:

Ф. В. Гаспарян ; А. А. Аракелян ; Г. Д. Хондкарян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiophysics

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Գասպարյան Ֆ. Վ. ; Առաքելյան Ա. Հ. ; Խոնդկարյան Հ. Դ. ; Gasparyan F. V. ; Arakelyan A. H. ; Khondkaryan H. D.

Ծածկոյթ:

464-470

Ամփոփում:

Исследованы темновые и фото вольт–амперные характеристики (ВАХ), спектр поглощения и фоточувствительность полевого транзистора на основе кремниевой нанопроволоки. Հետազոտված են սիլիցիումային նանոլարից պատրաստված դաշտային տրանզիստորի մթնային և լուսային վոլտ-ամպերային բնութագրերը (ՎԱԲ): The dark and photo current–voltage characteristics (CVC), absorption spectrum and photosensitivity of the field effect transistor based on silicon nanowires were investigated.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2016-10-11

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան