Object

Title: Эффект резистивного переключения в структурах металл–оксид– металл с оксидным слоем ZnO:Li

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2016

Volume:

51

Number:

2

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Other title:

ZnO:Li օքսիդային շերտով մետաղ–օքսիդ–մետաղ կառուցվածքներում ռեզիստիվ փոխարկման էֆեկտը; Resistive switching effect in metal–oxide–metal structures with ZnO:Li oxide layer

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

227-234

Abstract:

The resistive switching effect in metal–oxide–metal (MOM) structures have been investigated, where the 10%Li-doped ZnO layer was used as an oxide layer, as well as Pt and 20% fluorine doped SnO2 (SnO2:F) were used as bottom electrodes. Current–voltage (I–V) and switching (I–t) characteristics of Ag/ZnO:Li/Pt and Ag/ZnO:Li/SnO2:F structures were investigated. Unipolar resistive switching is detected in the structures with Pt electrode, and bipolar memory effect is found in case of using the transparent conductive SnO2:F as an electrode instead of Pt.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2016-03-25

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134683

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

May 5, 2025

In our library since:

Apr 21, 2020

Number of object content hits:

14

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/148046

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information