Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Эффект резистивного переключения в структурах металл–оксид– металл с оксидным слоем ZnO:Li
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Radiation physics
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
The resistive switching effect in metal–oxide–metal (MOM) structures have been investigated, where the 10%Li-doped ZnO layer was used as an oxide layer, as well as Pt and 20% fluorine doped SnO2 (SnO2:F) were used as bottom electrodes. Current–voltage (I–V) and switching (I–t) characteristics of Ag/ZnO:Li/Pt and Ag/ZnO:Li/SnO2:F structures were investigated. Unipolar resistive switching is detected in the structures with Pt electrode, and bipolar memory effect is found in case of using the transparent conductive SnO2:F as an electrode instead of Pt.