Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2015

Հատոր:

50

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

ZnO լայնգոտիական կիսահաղորդիչների վրա հիմնված գրանուլացված կառուցվածքների հաղորդականությունը; Conductivity of the granular structures based on wide-band ZnO semiconductors

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

85-95

Ամփոփում:

Проведены экспериментальные исследования гранулированных структур – случайно расположенных мелких областей, гранул или кристаллитов, имеющих различную проводимость и находящихся в прямом контакте, на основе пленок ZnO. Рассмотрено влияние донорного комплекса, состоящего из кислородной вакансии и междоузельного атома цинка, донорной примеси Ga, а также акцепторной примеси Li на структурную проводимость пленок. Կատարված են փորձարարական հետազոտություններ ZnO կիսահաղորդիչների վրա հիմնված գրանուլացված կառուցվածքների։ Հետազոտվել են ակցեպտորային կամ դոնորային կոմպլեկսների և խարնուրդների (Li կամ Ga) ազդեցությունը կրիստալիտների կառուցվածքային հաղորդականության վրա: The experimental investigations of granular structures based on ZnO thin films have been carried out. The influence of acceptor or donor complex, caused by oxygen vacancy and interstitial zinc atom, and impurities (Li or Ga) on the crystallite structure conductivity has been investigated.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2015-01-09

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134593

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան