Проводимость гранулированных структур на основе широкозонных полупроводников ZnO

ZnO լայնգոտիական կիսահաղորդիչների վրա հիմնված գրանուլացված կառուցվածքների հաղորդականությունը; Conductivity of the granular structures based on wide-band ZnO semiconductors

Р. К. Овсепян ; А. Р. Погосян ; Э. Е. Элбакян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Optics; Light ; Physics of Semiconductors

Հովսեփյան Ռ. Կ. ; Պողոսյան Ա. Ռ. ; Էլբակյան Է. Ե. ; Hovsepyan R. K. ; Poghosyan A. R. ; Elbakyan E. Y.

85-95

Проведены экспериментальные исследования гранулированных структур – случайно расположенных мелких областей, гранул или кристаллитов, имеющих различную проводимость и находящихся в прямом контакте, на основе пленок ZnO. Рассмотрено влияние донорного комплекса, состоящего из кислородной вакансии и междоузельного атома цинка, донорной примеси Ga, а также акцепторной примеси Li на структурную проводимость пленок. Կատարված են փորձարարական հետազոտություններ ZnO կիսահաղորդիչների վրա հիմնված գրանուլացված կառուցվածքների։ Հետազոտվել են ակցեպտորային կամ դոնորային կոմպլեկսների և խարնուրդների (Li կամ Ga) ազդեցությունը կրիստալիտների կառուցվածքային հաղորդականության վրա: The experimental investigations of granular structures based on ZnO thin films have been carried out. The influence of acceptor or donor complex, caused by oxygen vacancy and interstitial zinc atom, and impurities (Li or Ga) on the crystallite structure conductivity has been investigated.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան