Object

Title: Мемристоры на основе легированных литием пленок ZnO

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2015

Volume:

50

Number:

3

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Other title:

Լիթիումով լեգիրված ZnO թաղանթների հիմքի վրա մեմրիստորներ; Memristors Based on Lithium Doped ZnO Films

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

368-374

Abstract:

Разработан и изучен мемристорный элемент памяти ReRAM. Разработанная структура состоит из диода Шоттки (1D) на основе гетероструктуры ZnO:Ga/ZnO:Li/ZnO и мемристора (1R) на основе гетероструктуры Pt/ZnO/ZnO:Li/Al. Մշակված և հետազոտված է օպերատիվ հիշողության սարքի մեմրիստորային տարր (resistance random access memory – ReRAM)։ Մշակված կառուցվածքը բաղկացած է Շոտկիի դիոդից (1D) հիմնված ZnO:Ga/ZnO:Li/ZnO հետերոկառուցվածքի վրա և մեմրիստորից (1R) հիմնված Pt/ZnO/ZnO:Li/Al հետերոկառուցվածքի վրա։ The memristor memory cell ReRAM has been developed and studied. The developed structure consists of a Schottky diode (1D) based on ZnO:Ga/ZnO:Li/ZnO heterostructure and memristor (1R) based on Pt/ZnO/ZnO:Li/Al heterostructure.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2015-03-25

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134630

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

May 5, 2025

In our library since:

Apr 21, 2020

Number of object content hits:

35

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/147986

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information