Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2014

Հատոր:

49

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

InAsSbР/InAs քվանտային կետերի չափսերի բաշխումը մակերեսի համար ձևավորված ԼՍՎ տեսության շրջանակներում; The size distribution of InAsSbР/InAs(100) quantum dots in the frames of modified for surface LSW theory

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

252-262

Ամփոփում:

В рамках модифицированной для поверхности теории ЛСВ проведен анализ роста квантовых точек (КТ) в структуре InAsSbР/InAs(100) на стадии оствальдовского созревания (ОС). Analysis of quantum dots (QD) growth in InAsSbP/InAs (100) structure at the stage of Ostwald ripening (OR) is carried out in the frames of modified for surface LSW theory.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2014-07-16

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134552

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան