Распределение по размерам квантовых точек InAsSbР/InAs (100) в рамках модифицированной для поверхности теории ЛСВ

InAsSbР/InAs քվանտային կետերի չափսերի բաշխումը մակերեսի համար ձևավորված ԼՍՎ տեսության շրջանակներում; The size distribution of InAsSbР/InAs(100) quantum dots in the frames of modified for surface LSW theory

Р. Д. Венгренович ; Б. В. Иванский ; И. И. Панько ; Ю. М. Кушнир ; В. И. Кривецкий

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Chemical Physics ; Molecular Physics ; Quantum Physics

Վենգրենովիչ Ռ. Դ. ; Իվանսկի Բ. Վ. ; Պանկո Ի. Ի. ; Կուշնիր Յու. Մ. ; Կրիվեցկի Վ. Ի. ; Vengrenovich R. D. ; Ivanskii B. V. ; Panko I. I. ; Kushnir Yu. M. ; Krуvetskyi V. I.

252-262

В рамках модифицированной для поверхности теории ЛСВ проведен анализ роста квантовых точек (КТ) в структуре InAsSbР/InAs(100) на стадии оствальдовского созревания (ОС). Analysis of quantum dots (QD) growth in InAsSbP/InAs (100) structure at the stage of Ostwald ripening (OR) is carried out in the frames of modified for surface LSW theory.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան