Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2013

Հատոր:

48

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Էլեկտրոնային և խոռոչային վիճակները InSb նեղգոտիական կիսահաղորդչային թաղանթում արտաքին համասեռ էլեկտրաստատիկ դաշտի առկայությամբ; Electron and hole states in a narrow-band semiconductor InSb film in the presence of uniform electrostatic field

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

251-266

Ամփոփում:

Теоретически рассмотрены состояния носителей заряда в узкозонной полупроводниковой пленке InSb, помещенной в однородное электростатическое поле. Обсуждается случай, когда зона тяжелых дырок описывается стандартной дисперсией, а для легких дырок и электронов имеет место дисперсия Кейна в рамках двухзонной зеркальной модели. Տեսականորեն դիտարկված են լիցքակիրների վիճակները InSb նեղ արգելված գոտիական կիսահաղորդչային թաղանթում՝ տեղադրված համասեռ էլեկտրաստատիկ դաշտում: Քննարկված է դեպք, երբ ծանր խոռոչների գոտին նկարագրվում է ստանդարտ դիսպերսիայով, իսկ թեթև խոռոչների և էլեկտրոնների համար տեղի ունի Քեյնի դիսպերսիան՝ երկգոտիական հայելային մոտավորությունը: The states of charge carriers in InSb narrow-gap semiconductor film, placed in a uniform electrostatic field, are considered theoretically. We consider the case when the heavy holes are described by the standard dispersion, and Kane's dispersion law takes place for electrons and for light holes within the framework of two-band mirror model.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2013-08-15

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134490

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան