Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Other title:
Creator:
В. А. Арутюнян ; В. А. Гаспарян ; Э. М. Казарян ; А. А. Саркисян
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics
Uncontrolled Keywords:
Հարությունյան Վ. Ա. ; Գասպարյան Վ. Ա. ; Ղազարյան Է. Մ. ; Սարգսյան Հ. Ա. ; Harutyunyan V. A. ; Gasparyan V. A. ; Kazaryan E. M. ; Sarkisyan H. A.
Coverage:
Abstract:
Теоретически рассмотрены состояния носителей заряда в узкозонной полупроводниковой пленке InSb, помещенной в однородное электростатическое поле. Обсуждается случай, когда зона тяжелых дырок описывается стандартной дисперсией, а для легких дырок и электронов имеет место дисперсия Кейна в рамках двухзонной зеркальной модели. Տեսականորեն դիտարկված են լիցքակիրների վիճակները InSb նեղ արգելված գոտիական կիսահաղորդչային թաղանթում՝ տեղադրված համասեռ էլեկտրաստատիկ դաշտում: Քննարկված է դեպք, երբ ծանր խոռոչների գոտին նկարագրվում է ստանդարտ դիսպերսիայով, իսկ թեթև խոռոչների և էլեկտրոնների համար տեղի ունի Քեյնի դիսպերսիան՝ երկգոտիական հայելային մոտավորությունը: The states of charge carriers in InSb narrow-gap semiconductor film, placed in a uniform electrostatic field, are considered theoretically. We consider the case when the heavy holes are described by the standard dispersion, and Kane's dispersion law takes place for electrons and for light holes within the framework of two-band mirror model.