Նիւթ

Վերնագիր: Моделирование и расчет светоадресуемых потенциометрических сенсоров

Ստեղծողը:

Ф. В. Гаспарян

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2010

Հատոր:

45

Համար:

5

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

Լույսով հասցեագրվող պոտենցաչափական սենսորների մոդելավորում և հաշվարկ; Modeling and simulation of light-addressable potentiometric sensors

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

350-364

Ամփոփում:

Представлены результаты моделирования и теоретического расчета влияния света с модулированной интенсивностью на светоадресуемые потенциометрические сенсоры на основе структуры электролит–изолятор–полупроводник и электролит–мембрана–изолятор–полупроводник. Մոդելավորված և տեսականորեն հետազոտված են կիսահաղորդիչ/մեկուսիչ/էլեկտրոլիտ և կիսահաղորդիչ /մեկուսիչ/մեմբրան/էլեկտրոլիտ կառուցվածքով լույսով հասցեագրվող պոտենցաչափական սենսորները: Results of modeling and theoretical simulation of the influence of intensity-modulated irradiation on the light-addressable potentiometric sensors based on the electrolyte–insulator– semiconductor and electrolyte–membrane–insulator–semiconductor structures are presented.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2010-09-05

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134274

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

May 5, 2025

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Apr 21, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

18

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147592

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն