Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2010

Volume:

45

Number:

5

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Title:

Моделирование и расчет светоадресуемых потенциометрических сенсоров

Other title:

Լույսով հասցեագրվող պոտենցաչափական սենսորների մոդելավորում և հաշվարկ; Modeling and simulation of light-addressable potentiometric sensors

Creator:

Ф. В. Гаспарян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Natural history ; Biology

Uncontrolled Keywords:

Գասպարյան Ֆ. Վ. ; Gasparyan F. V.

Coverage:

350-364

Abstract:

Представлены результаты моделирования и теоретического расчета влияния света с модулированной интенсивностью на светоадресуемые потенциометрические сенсоры на основе структуры электролит–изолятор–полупроводник и электролит–мембрана–изолятор–полупроводник. Մոդելավորված և տեսականորեն հետազոտված են կիսահաղորդիչ/մեկուսիչ/էլեկտրոլիտ և կիսահաղորդիչ /մեկուսիչ/մեմբրան/էլեկտրոլիտ կառուցվածքով լույսով հասցեագրվող պոտենցաչափական սենսորները: Results of modeling and theoretical simulation of the influence of intensity-modulated irradiation on the light-addressable potentiometric sensors based on the electrolyte–insulator– semiconductor and electrolyte–membrane–insulator–semiconductor structures are presented.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2010-09-05

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան