Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Моделирование и расчет светоадресуемых потенциометрических сенсоров
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Natural history ; Biology
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Գասպարյան Ֆ. Վ. ; Gasparyan F. V.
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Представлены результаты моделирования и теоретического расчета влияния света с модулированной интенсивностью на светоадресуемые потенциометрические сенсоры на основе структуры электролит–изолятор–полупроводник и электролит–мембрана–изолятор–полупроводник. Մոդելավորված և տեսականորեն հետազոտված են կիսահաղորդիչ/մեկուսիչ/էլեկտրոլիտ և կիսահաղորդիչ /մեկուսիչ/մեմբրան/էլեկտրոլիտ կառուցվածքով լույսով հասցեագրվող պոտենցաչափական սենսորները: Results of modeling and theoretical simulation of the influence of intensity-modulated irradiation on the light-addressable potentiometric sensors based on the electrolyte–insulator– semiconductor and electrolyte–membrane–insulator–semiconductor structures are presented.