Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2009

Հատոր:

44

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունը AIIIBV տիպի կիսահաղորդիչների խառնուրդային կլանման վրա; Influence of the Coulomb gap on the impurity absorption in AIIIBV semiconductors

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

29-34

Ամփոփում:

Используя интерполяционную формулу, которая независимо от степени компенсации адекватно описывает структуру примесной зоны в широком интервале энергиий, получено явное выражение коэффициента поглощения света, связанного с переходами примесная зона–зона проводимости. Վիճակների խտության համար ներմոտարկման բանաձաևի օգնությամբ, որը համարժեքորեն նկարագրում է խառնուրդային գոտու կառուցվածքը լայն էներգիական տիրույթում, ստացված է «խառնուրդային գոտի–հաղորդական գոտի» անցումներով պայմանավորված կլանման գործակցի արտահայտությունը: Using the interpolation formula, an explicit expression is obtained for the light absorption coefficient related to the transitions from the impurity band to the conductivity band is obtained. The interpolation formula adequately describes the impurity band structure in a broad energy range regardless of the degree of compensation.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2009-01-06

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134144

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան