Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Влияние кулоновской щели на примесное поглощение в полупроводниках типа AIIIBV
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Radiophysics
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Հարությունյան Ս. Լ. ; Harutyunyan S. L.
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Используя интерполяционную формулу, которая независимо от степени компенсации адекватно описывает структуру примесной зоны в широком интервале энергиий, получено явное выражение коэффициента поглощения света, связанного с переходами примесная зона–зона проводимости. Վիճակների խտության համար ներմոտարկման բանաձաևի օգնությամբ, որը համարժեքորեն նկարագրում է խառնուրդային գոտու կառուցվածքը լայն էներգիական տիրույթում, ստացված է «խառնուրդային գոտի–հաղորդական գոտի» անցումներով պայմանավորված կլանման գործակցի արտահայտությունը: Using the interpolation formula, an explicit expression is obtained for the light absorption coefficient related to the transitions from the impurity band to the conductivity band is obtained. The interpolation formula adequately describes the impurity band structure in a broad energy range regardless of the degree of compensation.