Օբյեկտ

Վերնագիր: Исследование температурного коэффициента энергии запрещенной зоны полупроводниковых наноструктур CdSe1-xSx

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2007

Հատոր:

42

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

CdSe1-xSx կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքների արգելված գոտու էներգիայի ջերմաստիճանային գործակցի հետազոտումը; Investigation of the temperature coefficient of the forbidden band energy of CdSe1-xSx semiconductor nanostructures

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

9-16

Ամփոփում:

Экспериментально и теоретически исследовано влияние размеров сформированных в силикатном стекле нанокристаллов CdSe1-xSx на температурный коэффициент изменения энергии запрещенной зоны полупроводника. Ուսումնասիրված է սիլիկատային ապակում ձևավորված CdSe1-xSx նանոբյուրեղների արգելված գոտու էներգիայի ջերմաստիճանային գործակցի վարքը, կախված նրանցում նանոբյուրեղների չափսերից: The dependence of the band-gap energy temperature coefficient on the average size of CdSe1-xSx nanocrystals embedded in silicate glass, is investigated experimentally and theoretically.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2007-01-09

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:133978

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

May 5, 2025

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

19

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147268

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն