Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Распределение электрического поля в базе полупроводникового диода с р-п переходом
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics
Չվերահսկուող բանալի բառեր:
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
Получено выражение для распределения электрического поля в базе полупроводникого диода с p-n переходом, справедливое при произвольных уровнях инжекции, в приближении экспоненциальности распределения неравновесных носителей в базе диода. Կիսահաղորդչային p-n անցումով դիոդի համար ստացված է արտահայտություն բազայում էլեկտրական դաշտի բաշխման համար, որը կիրառելի է ինժեկցիայի ցանկացած մակարդակի դեպքում: The electric field distribution in the base of a semiconductor p-n junction diode is obtained, which is valid at arbtrary injection levels, in the exponential distribution approximation for nonequilibrium carriers in the diode base.