Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Распределение электрического поля в базе полупроводникового диода с р-п переходом
Other title:
Creator:
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics
Uncontrolled Keywords:
Coverage:
Abstract:
Получено выражение для распределения электрического поля в базе полупроводникого диода с p-n переходом, справедливое при произвольных уровнях инжекции, в приближении экспоненциальности распределения неравновесных носителей в базе диода. Կիսահաղորդչային p-n անցումով դիոդի համար ստացված է արտահայտություն բազայում էլեկտրական դաշտի բաշխման համար, որը կիրառելի է ինժեկցիայի ցանկացած մակարդակի դեպքում: The electric field distribution in the base of a semiconductor p-n junction diode is obtained, which is valid at arbtrary injection levels, in the exponential distribution approximation for nonequilibrium carriers in the diode base.