Исследование температурного коэффициента энергии запрещенной зоны полупроводниковых наноструктур CdSe1-xSx

CdSe1-xSx կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքների արգելված գոտու էներգիայի ջերմաստիճանային գործակցի հետազոտումը; Investigation of the temperature coefficient of the forbidden band energy of CdSe1-xSx semiconductor nanostructures

Д. М. Седракян ; П. Г. Петросян ; Л. Н. Григорян ; В. Д. Бадалян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Molecular Physics

Սեդրակյան Դ. Մ. ; Պետրոսյան Պ. Գ. ; Գրիգորյան Լ. Ն. ; Բադալյան Վ. Դ. ; Sedrakian D. M. ; Petrosyan P. G. ; Grigoryan L. N. ; Badalyan V. D.

9-16

Экспериментально и теоретически исследовано влияние размеров сформированных в силикатном стекле нанокристаллов CdSe1-xSx на температурный коэффициент изменения энергии запрещенной зоны полупроводника. Ուսումնասիրված է սիլիկատային ապակում ձևավորված CdSe1-xSx նանոբյուրեղների արգելված գոտու էներգիայի ջերմաստիճանային գործակցի վարքը, կախված նրանցում նանոբյուրեղների չափսերից: The dependence of the band-gap energy temperature coefficient on the average size of CdSe1-xSx nanocrystals embedded in silicate glass, is investigated experimentally and theoretically.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան