Механизм зародышеобразования и расчет полной энергии наноструктур в материальной системе CdTe-ZnTe-HgTe

Симонян, А. К.; Гамбарян, К. М.; Арутюнян, В. М.; Гамбарян, М. К.; Аветисян, Г. А.

Object

Edition name

Date

Симонян, А. К., Механизм зародышеобразования и расчет полной энергии наноструктур в материальной системе CdTe-ZnTe-HgTe

May 5, 2025

Objects

Similar

Узкозонные фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе квантовых точек InAsSbP

В. Г. Арутюнян К. М. Гамбарян В. М. Арутюнян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Оствальдовское созревание при наноинженерии сферических и эллипсоидальных квантовых точек InAsSbP на поверхности InAs(100)

В. М. Арутюнян К. М. Гамбарян В. Г. Арутюнян П. Г. Сукиассиан Т. Боек Я. Шмидтбауэр Р. Бансен Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Материальная система CdTe–ZnTe–HgTe: анализ смешиваемости твердых растворов

Гамбарян, К. М. Симонян, А. К. Арутюнян, В. М. Гамбарян, М. К. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Особенности конкурирующего зародышеобразования квантовых точек и нанопор в трехкомпонентной системе Si-Ge-C

К. М. Гамбарян В. М. Арутюнян А. К. Симонян Л. Г. Мовсесян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Геометрические особенности и численный анализ трансформации поверхности микро- и наноструктур состава InAsSbP при зародышеобразовании из жидкой фазы

Гамбарян, К. М. Арутюнян, В. М. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

К соотношению между параболическими и сферическими волновыми функциями атома водорода

М. Г. Арутюнян Г. С. Погосян В. М. Тер-Антонян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Применение новой разновидности электрожидкостной эпитаксии для выращивания пленок InSbAsBi и диодных гетероструктур на их основе

В. М. Арутюнян В. А. Геворкян К. М. Гамбарян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Малосигнальный анализ инжекционно-пролетных диодов с квантовыми ямами

В. М. Арутюнян В. В. Буниатян С. Г. Петросян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Object

Title: Механизм зародышеобразования и расчет полной энергии наноструктур в материальной системе CdTe-ZnTe-HgTe

Creator:

Type:

Publication Details:

Journal or Publication Title:

Date of publication:

Volume:

Number:

ISSN:

Official URL:

Additional Information:

Other title:

Contributor(s):

Coverage:

Abstract:

Publisher:

Format:

Identifier:

Call number:

Location of original object:

Subject and keywords:

Object collections:

Last modified:

In our library since:

Number of object content hits:

All available object's versions:

Show description in RDF format:

Show description in OAI-PMH format:

Objects

Similar

Contact details

Address

Phone

E-Mail

Visit us!