Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2017

Հատոր:

52

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

InAsSbP քվանտային կետերով նեղ գոտիական կառուցվածք ունեցող միջին ենթակարմիր տիրույթի ֆոտոընդունիչներ; Narrow bandgap mid-infrared photodetectors based on InAsSbP quantum dots

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

60-67

Ամփոփում:

Представлены результаты исследований фотодетекторов среднего инфракрасного диапазона на основе квантовых точек (КТ) InAsSbP, выращенных на подложках InAs(100) методом модифицированной жидкофазной эпитаксии. Ներկայացված են ձևափոխված հեղուկային էպիտաքսիայի եղանակով InAs(100) տակդիրի վրա աճեցված InAsSbP քվանտային կետերի (ՔԿ) հիման վրա պատրաստված միջին ենթակարմիր տիրույթի ֆոտոընդունիչների ուսումնասիրությունների արդյունքները:The results of investigations of mid-infrared photodetectors based on InAsSbP quantum dots (QDs) grown on InAs(100) substrate by modified liquid phase epitaxy are presented. The atomic force microscope measurements have shown that the surface density of grown QDs is (4–8) ×109 cm−2.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2017-01-05

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134731

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան