Օբյեկտ

Վերնագիր: Исследование фотоэлектрических свойств гетеропереходных эпитаксиально наращенных термофотовольтаических элементов

Այլ վերնագիր:

Investigation of photoelectrical properties of epitaxially grown heterojunction termophotovoltaic cells

Ծածկույթ:

393-399

Ամփոփում:

Методом химического осаждения из паров металло-органических соединений эпитаксиально наращены эффективные образцы InAs/p-GaSb/n-GaSb/n-GaAs/InxGa1-xAs/Ge/Si(113) фотовольтаических элементов и исследованы их фотоэлектрические свойства․ Effective heterojunction InAs/p-GaSb/n-GaSb/n-GaAs/InxGa1-xAs/Ge/Si(113) photovoltaic cells’ experimental samples have been epitaxy method grown by chemical deposition from metal-organic combination vapors and their photoelectric properties have been investigated.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2014-12-20

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134573

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2014

Հատոր:

vol. 49

Համար:

№ 6

ISSN:

0002-3035

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Mar 6, 2021

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

0

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147924

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն