Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2025

Հատոր:

60

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Vartanian A., Asatryan A., Yeranosyan M., Stepanyan A., Khachatryan G., Hayrapetyan S., Xie Y.-H., Վարդանյան Ա., Ասատրյան Ա., Երանոսյան Մ., Ստեփանյան Ա., Խաչատրյան Գ., Հայրապետյան Ս., Xie Y.-H.

Այլ վերնագիր:

Impact of Rashba Spin-Orbit Interaction on Electron Mobility in GaN Nanowires due to Scattering by Acoustic Phonons ; Ռաշբայի սպին-ուղեծրային փոխազդեցության ներգործությունը էլեկտրոնների շարժունության վրա GaN նանոլարերում ձայնային ֆոնոնների վրա ցրման դեպքում

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

513–519

Ամփոփում:

Исследована подвижность электронов при рассеянии на акустических фононах в цилиндрической полупроводниковой нанопроволоке GaN, помещенной в неполярную среду. С учетом спин-орбитального взаимодействия получены зависимости подвижности электронов от радиуса нанопроволоки, линейной концентрации электронов, параметра спин-орбитального взаимодействия Рашбы и температуры. Показано, что учет спин-орбитального взаимодействия приводит к росту подвижности электронов, причем скорость роста высока при низких температурах. Рассмотрен важный технологический вопрос о влиянии спин-орбитального взаимодействия на подвижность электронов в квазиодномерных транспортных устройствах на основе нанопроволок GaN в области низких температур, где доминирует рассеяние на акустических фононах.
Ուսումնասիրվել է էլեկտրոնների շարժունությունը ոչ բևեռային միջավայրում ներդրված գլանային GaN կիսահաղորդչային նանոլարում՝ ձայնային ֆոնոնների վրա ցրման դեպքում: Սպին-ուղեծրային փոխազդեցության հաշվառմամբ ստացվել են էլեկտրոնային շարժունության կախումները նանոլարի շառավղից, էլեկտրոնների գծային կոնցենտրացիայից, Ռաշբայի սպին-ուղեծրային փոխազդեցության պարամետրից և ջերմաստիճանից: Ցույց է տրվել, որ սպին-ուղեծրային փոխազդեցության հաշվառումը հանգեցնում է էլեկտրոնների շարժունության աճի, ընդ որում՝ աճի արագությունը մեծ է ցածր ջերմաստիճաններում: Դիտարկվել է կարևոր տեխնոլոգիական հարց՝ սպին-ուղեծրային փոխազդեցության ներգործությունը էլեկտրոնային շարժունության վրա GaN նանոլարային հենքով քվազիմիաչափ տրանսպորտային սարքերում՝ ցածր ջերմաստիճաններում, երբ գերակայող է ձայնային ֆոնոնների վրա ցրումը:
The electron mobility due to scattering by acoustic phonons has been studied in a cylindrical GaN semiconductor nanowire embedded in a nonpolar medium. Taking into account the spin–orbit interaction, the dependences of electron mobility on the nanowire radius, the linear electron concentration, the Rashba spin–orbit coupling parameter, and the temperature have been obtained. It is shown that inclusion of spin–orbit interaction leads to an increase in electron mobility, with the rate of increase being especially high at low temperatures. A significant technological issue is examined: the impact of spin-orbit interaction on electron mobility in quasi-one-dimensional transport devices based on GaN nanowires at low temperatures, where scattering by acoustic phonons is dominant.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար ; oai:arar.sci.am:426032

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան