Օբյեկտ

Վերնագիր: О сверхнизком пороге генерации полупроводникового КРС лазера

Ստեղծողը:

Алексанян, Ал. Г.

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Հանդեսը լույս է տեսնում տարին մեկ անգամ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Արցախի պետական համալսարանի գիտական տեղեկագիր. Հասարակական և բնական գիտություններ=Ученые записки Арцахского государственного университета: Социальные и естественные науки=Artsakh state university's Proceedings: Social and natural sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2001

Հատոր:

1 (4)

Պաշտոնական URL:


Լրացուցիչ տեղեկություն:

Ալեքսանյան Ալ. Գ., Alexanian AL. G.

Այլ վերնագիր:

Կիսահաղորդչային ՉՔՇ լազերի գեներացիայի գերցածր շեմի մասին ; The lowest threshold current of a semiconductor quantum well

Համատեղ հեղինակները:

Արցախի պետական համալսարան

Աջակից(ներ):

Գլխ. խմբ.՝ Կ. Ն․ Ադամյան

Ծածկույթ:

21-24

Ամփոփում:

A model calculation of the threshold current of a laser in quantum well structure is presented. This cumulation shows that factor at the lasing wave length is lager than the value estimated at energy gap of bulk semiconductors.

Հրատարակության վայրը:

Ստեփանակերտ

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:370479

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

Արցախի պետական համալսարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Mar 4, 2024

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 21, 2024

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

18

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/400300

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն