Publication Details:
Հանդեսը լույս է տեսնում տարին մեկ անգամ:
Journal or Publication Title:
Date of publication:
Volume:
Official URL:
Additional Information:
Ալեքսանյան Ալ. Գ., Alexanian AL. G.
Title:
О сверхнизком пороге генерации полупроводникового КРС лазера
Other title:
Կիսահաղորդչային ՉՔՇ լազերի գեներացիայի գերցածր շեմի մասին ; The lowest threshold current of a semiconductor quantum well
Creator:
Corporate Creators:
Contributor(s):
Subject:
Coverage:
Abstract:
A model calculation of the threshold current of a laser in quantum well structure is presented. This cumulation shows that factor at the lasing wave length is lager than the value estimated at energy gap of bulk semiconductors.
Place of publishing:
Ստեփանակերտ
Type:
Format:
Digitization:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան