Սպեկտրալուսաչափական հնարավորությամբ սիլիցիումային երկարգելք կառուցվածք

Ս. Խ. Խուդավերդյան; Մ. Գ. Խաչատրյան; Տ. Ս. Հովհաննիսյան; Ն. Բ. Մեհրաբյան

Ներբեռնել

Վերնագիր: Սպեկտրալուսաչափական հնարավորությամբ սիլիցիումային երկարգելք կառուցվածք

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Кремниевая структура с двойным барьером и спектрофотометрическими способностями. / С. Х. Худавердян, М. Г. Хачатрян, Т. С. Оганесян, Н. Б. Меграбян.A double-barrier silicon structure with spectrophotometric abilities / S. Kh. Khudaverdyan, M. G. Khachatryan, T. S. Hovhannisyan, N. B. Mehrabyan.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

393-402

Ամփոփում:

Используя цифровые данные световой вольт-ампер-ной характеристики, получено спектральное распределение интенсивности ксеноновой лампы. Очень маленькие (несколько нАA sample was produced based on the researched structure, and simulation of the electronic processes going on in it is carried out. Using the digital data of the light volt-ampere characteristics, the spectral distribution of the xenon lamp intensities is obtained. Very small (several nA) dark currents allow to carry out the spectral analysis of low-intensity electromagnetic radiation.) темновые токи позволяют проводить спектральный анализ электромагнитного излучения малой интенсивностью.