Սպեկտրալուսաչափական հնարավորությամբ սիլիցիումային երկարգելք կառուցվածք

Кремниевая структура с двойным барьером и спектрофотометрическими способностями. / С. Х. Худавердян, М. Г. Хачатрян, Т. С. Оганесян, Н. Б. Меграбян.A double-barrier silicon structure with spectrophotometric abilities / S. Kh. Khudaverdyan, M. G. Khachatryan, T. S. Hovhannisyan, N. B. Mehrabyan.

Ս. Խ. Խուդավերդյան ; Մ. Գ. Խաչատրյան ; Տ. Ս. Հովհաննիսյան ; Ն. Բ. Մեհրաբյան

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology

սպեկտրային բաշխվածություն ; ճառագայթի ինտենսիվություն ; օպտիկական միջավայր ; մոդելավորում

393-402

Используя цифровые данные световой вольт-ампер-ной характеристики, получено спектральное распределение интенсивности ксеноновой лампы. Очень маленькие (несколько нАA sample was produced based on the researched structure, and simulation of the electronic processes going on in it is carried out. Using the digital data of the light volt-ampere characteristics, the spectral distribution of the xenon lamp intensities is obtained. Very small (several nA) dark currents allow to carry out the spectral analysis of low-intensity electromagnetic radiation.) темновые токи позволяют проводить спектральный анализ электромагнитного излучения малой интенсивностью.

Երևան

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան