Նիւթ

Վերնագիր: Microwave (RF) signal generation on the metal-ferroelectric-metal nanostructure

Ստեղծողը:

H. R. Dashtoyan

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիւ:

2016

Հատոր:

69

Համար:

2

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

Միկրոալիքային ազդանշանի գեներացումը մետաղ-ֆերոէլեկտրիկ-մետաղ նանոկառուցվածքում / Հ. Ռ Դաշտոյան։ Генерация микроволновых сигналов на наноструктуре металл-ферроэлектрик-металл / О. Р. Даштоян.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

169-175

Ամփոփում:

Microwave (dynamic) characteristics of barrier-injected transit-time metal-ferroelectric-metal nanostructure are investigated for the first time. It is shown that: it is possible to obtain dynamic negative resistance and therefore the microwave signal generation (amplification) on such structures; the power output and efficiency increase with an increase of the concentration of oxygen vacancies conditioned traps in ferro-films; based on the obtained results, and combining them with the passive elements already used based on ferro-thin films, one can construct fully integrated Ferro-VLSI circuits. Առաջին անգամ ուսումնասիրվել են մետաղ-ֆերոէլեկտրիկ-մետաղ կառուցվածքի միկրո-ալիքային (դինամիկ) բնութագրերը: Ցույց է տրվել, որ այդ կառուցվածքում հնարավոր է ստանալ դինամիկ բացասական դիմադրություն և այդպիսով` միկրոալիքային ազդանշանի գեներացիա (ուժեղացում): Ֆերոթաղանթներում, թթվածնի վականսիաներով պայմանավորված, թակարդային մակարդակների կոնցենտրացիայի աճի հետ մեկտեղ աճում են ելքի հզորությունը և սարքի արդյունավետությունը: Հիմնվելով ստացված արդյունքների վրա և համակցելով ֆերոթաղանթային պասսիվ տարրերը, կարելի է նախագծել լիովին ինտեգրված Ferro-VLSI սխեմաներ: Исследованы микроволновые (динамические) характеристики структуры металл-ферроэлектрик-металл. Показано, что: в упомянутых структурах возможны получение динамического негативного сопротивления и генерация (усиление) микроволнового сигнала; в ферропленке вместе с ростом концентрации ловушечных уровней, которые обусловлены кислородными вакансиями, растет также мощность выхода и эффективность; на основе полученных результатов и совмещением с пассивными ферропленочными элементами возможно создание полностью интегрированных Ferro-VLSI схем.

Հրատարակութեան վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

Հայաստանի ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիւը:

2016-04-07

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:33052

Դասիչ:

АЖ 413

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

Oct 11, 2024

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Mar 3, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

18

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/36797

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակութեան անունը Թուական
Microwave (RF) signal generation on the metal-ferroelectric-metal nanostructure Oct 11, 2024

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն