Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիւ:

2013

Հատոր:

66

Համար:

1

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Модели устройств для предохранения от электростатических разрядов с учетом эффекта самосогревания / В. Ш. Меликян, А. Н. Хачатрян, Д. Л. Мирзоян, А. А. Дургарян. Models of electrostatic discharge protection devices considering the self-heating effects / V. Sh. Melikyan, A. N. Khachatryan, D. L. Mirzoyan, A. A. Durgaryan.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

73-83

Ամփոփում:

Առաջարկվել են ժամանակակից ինտեգրալ սխեմաների (ԻՍ) կարևորագույն հանգույց հանդիսացող էլեկտրաստատիկ լիցքաթափումից (ԷՍԼ) պաշտպանության սարքերի ժամանակային և հաճախականային վերլուծությանը կողմնորոշված ստատիկ և ջերմային մոդելներ: Մշակված մոդելները, ինքնատաքացման երևույթը հաշվի առնելու շնորհիվ, բարձր հոսանքների ռեժիմներում հաշվարկների դեպքում, առկա մոդելների համեմատ, ապահովում են ավելի մեծ ճշտություն և թույլ են տալիս մոդելավորել ԻՍ-երը ԷՍԼ-ի տեսանկյունից ու մինչև արտադրությունը պարզել դրանց հուսալիությունը: Для временных и частотных анализов предложены статические и тепловые модели устройств, предохраняющих от электростатического разряда, которые являются одним из важных звеньeв в современных интегральных схемах (ИС). Предложенные модели с учетом самосогрeвания обеспечивают большую точность в высоких токовых режимах и дают возможнoсть тестирoвать ИС и узнать об их нaдежнoсти до изготовления по сравнению с нынешними существующими моделями. DC and thermal models related to transient and ac analyses are proposed to protect the devices from electrostatic discharge (ESD) which are one of the most important elements in modern integrated circuits (IC). Compared to the existing models, the proposed models consider the self heating effects and provide a higher accuracy in high current regimes, enabling to test the ICs for ESD effects.

Հրատարակութեան վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2013-03-25

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32859

Դասիչ:

АЖ 413

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան