Այլ վերնագիր:

ԿՄՕԿ ԻՆՏԵԳՐԱԼ ՍԽԵՄԱՆԵՐԻ ՌԱԴԻԱՑԻՈՆ ԿԱՅՈՒՆՈՒԹՅԱՆ ՄԵԹՈԴՆԵՐԻ ՎԵՐԼՈՒԾՈՒԹՅՈՒՆԸ ԵՎ ՖԼԵՇ-ՀԻՇՈՂՈՒԹՅԱՆ ՀԻՇՈՂ ՏԱՐՐԵՐԻ ՄՈԴԵԼԱՎՈՐՈՒՄԸ / Օ. Հ. ՊԵՏՐՈՍՅԱՆ: THE ANALYSIS OF RADIATION RESISTANCE INCREASE METHODS OF CMOS INTEGRATED CIRCUITS AND FLASH MEMORY STORAGE ELEMENT SIMULATION / O. H. PETROSYAN.

Ծածկույթ:

57-65

Ամփոփում:

Рассмотрены конструктивно-технологические и схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП интегральных схем. Исследовано влияние дозы ионизирующего излучения на удельную крутизну и пороговое напряжение. Впервые применен схемотехнический метод, основанный на эффекте подложки МОП транзистора, для повышения радиационной стойкости запоминающих элементов флэш-памяти. Проведено моделирование запоминающих элементов на основе метода эффекта подложки с использованием программного пакета HSPICE.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2011-03-14

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32740

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2011

Հատոր:

vol. 64

Համար:

№ 1

ISSN:

0002-306X

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան