Рассмотрены конструктивно-технологические и схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП интегральных схем. Исследовано влияние дозы ионизирующего излучения на удельную крутизну и пороговое напряжение. Впервые применен схемотехнический метод, основанный на эффекте подложки МОП транзистора, для повышения радиационной стойкости запоминающих элементов флэш-памяти. Проведено моделирование запоминающих элементов на основе метода эффекта подложки с использованием программного пакета HSPICE.
oai:arar.sci.am:32740
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Nov 8, 2020
Mar 3, 2020
1
https://arar.sci.am/publication/36454
Հրատարակության անուն | Ամսաթիվ |
---|---|
АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ ФЛЭШ-ПАМЯТИ | Nov 8, 2020 |
Ս. Ա. Գևորգյան Ա. Ա. Գևորգյան Ո. Զ. Մարուխյան Հ. Ս. Ավագյան Վ. Հ. Սարգսյան
А. А. Григорян
В. К. Абрамян Л. Е. Крапивин
Р. Е. Акопян Г. Н. Тер-Газарян
Я. С. Бровман К. С. Демирчян С. Л. Шмутер
А. Т. Чубарян
М. А. Карапетян