АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ ФЛЭШ-ПАМЯТИ

ԿՄՕԿ ԻՆՏԵԳՐԱԼ ՍԽԵՄԱՆԵՐԻ ՌԱԴԻԱՑԻՈՆ ԿԱՅՈՒՆՈՒԹՅԱՆ ՄԵԹՈԴՆԵՐԻ ՎԵՐԼՈՒԾՈՒԹՅՈՒՆԸ ԵՎ ՖԼԵՇ-ՀԻՇՈՂՈՒԹՅԱՆ ՀԻՇՈՂ ՏԱՐՐԵՐԻ ՄՈԴԵԼԱՎՈՐՈՒՄԸ / Օ. Հ. ՊԵՏՐՈՍՅԱՆ: THE ANALYSIS OF RADIATION RESISTANCE INCREASE METHODS OF CMOS INTEGRATED CIRCUITS AND FLASH MEMORY STORAGE ELEMENT SIMULATION / O. H. PETROSYAN.

О. А. Петросян

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology

ионизирующее излучение ; радиация ; заряд ; доза ; концентрация ; пороговое напряжение ; флэш-память ; моделирование.

57-65

Рассмотрены конструктивно-технологические и схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП интегральных схем. Исследовано влияние дозы ионизирующего излучения на удельную крутизну и пороговое напряжение. Впервые применен схемотехнический метод, основанный на эффекте подложки МОП транзистора, для повышения радиационной стойкости запоминающих элементов флэш-памяти. Проведено моделирование запоминающих элементов на основе метода эффекта подложки с использованием программного пакета HSPICE.

Երևան

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան