Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Date of publication:

2011

Volume:

64

Number:

1

ISSN:

0002-306X

Official URL:


Title:

АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ ФЛЭШ-ПАМЯТИ

Other title:

ԿՄՕԿ ԻՆՏԵԳՐԱԼ ՍԽԵՄԱՆԵՐԻ ՌԱԴԻԱՑԻՈՆ ԿԱՅՈՒՆՈՒԹՅԱՆ ՄԵԹՈԴՆԵՐԻ ՎԵՐԼՈՒԾՈՒԹՅՈՒՆԸ ԵՎ ՖԼԵՇ-ՀԻՇՈՂՈՒԹՅԱՆ ՀԻՇՈՂ ՏԱՐՐԵՐԻ ՄՈԴԵԼԱՎՈՐՈՒՄԸ / Օ. Հ. ՊԵՏՐՈՍՅԱՆ: THE ANALYSIS OF RADIATION RESISTANCE INCREASE METHODS OF CMOS INTEGRATED CIRCUITS AND FLASH MEMORY STORAGE ELEMENT SIMULATION / O. H. PETROSYAN.

Creator:

О. А. Петросян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Subject:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology

Uncontrolled Keywords:

ионизирующее излучение ; радиация ; заряд ; доза ; концентрация ; пороговое напряжение ; флэш-память ; моделирование.

Coverage:

57-65

Abstract:

Рассмотрены конструктивно-технологические и схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП интегральных схем. Исследовано влияние дозы ионизирующего излучения на удельную крутизну и пороговое напряжение. Впервые применен схемотехнический метод, основанный на эффекте подложки МОП транзистора, для повышения радиационной стойкости запоминающих элементов флэш-памяти. Проведено моделирование запоминающих элементов на основе метода эффекта подложки с использованием программного пакета HSPICE.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2011-03-14

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան