Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2005

Հատոր:

58

Համար:

2

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Անհամասեռ լեգիրացված p-n անցման ջերմաէլշուն; Thermo-emf of non-homogeneously doped p-n junction

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

307-317

Ամփոփում:

Рассмотрено влияние неравномерного (экспоненциального) распределения концентрации легирующих мелких акцепторов на коэффициент термо-ЭДС термоэлемента на основе р-п перехода. Показано, что созданное дополнительное внутреннее тянущее поле способствует увеличению коэффициента термо-ЭДС. Численные расчеты проведены для р-п переходов на основе Si и Pb0.8Sn0.2Te. Դիտարկված է լեգիրացնող ծանծաղ ակցեպտորների անհամասեռ (էքսպոնենցիալ) բաշխվածության ազդեցությունը p-n անցման հիման վրա ստեղծված ջերմաէլեմենտի ջերմաԷԼՇՈՒ-ի վրա: Ցույց է տրված, որ ստեղծված լրացուցիչ ներքին ձգող դաշտը նպաստում է ջերմաԷԼՇՈՒ-ի գործակցի արժեքի աճին: Թվային հաշվարկները կատարված են Si-ից և Pb0,8Sn0,2Te-ից պատրաստված p-n անցումների համար: The influence of non-homogeneously (exponential) distribution of shallow acceptors on thermo-emf coefficient of the thermo element based on p-n junction is discussed. It is shown that the developed additional internal field facilitates the increase of thermo-emf coefficient. Numerical calculations are carried on for p-n junctions based on Si and Pb0.8Sn0.2Te.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2005-08-15

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32264

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան