Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Термо-ЭДС неоднородно-легированного р-п перехода
Այլ վերնագիր:
Անհամասեռ լեգիրացված p-n անցման ջերմաէլշուն; Thermo-emf of non-homogeneously doped p-n junction
Ստեղծողը:
Ф. В. Гаспарян ; В. М. Арутюнян ; В. В. Буниатян
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Խորագիր:
Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology
Չվերահսկուող բանալի բառեր:
Գասպարյան Ֆ. Վ. ; Հարությունյան Վ. Մ. ; Բունիաթյան Վ. Վ. ; Gasparyan F. V. ; Aroutiounian V. M. ; Buniatyan V. V. термоэлемент ; термо-ЭДС ; градиент концентрации ; диффузия ; дрейф
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
Рассмотрено влияние неравномерного (экспоненциального) распределения концентрации легирующих мелких акцепторов на коэффициент термо-ЭДС термоэлемента на основе р-п перехода. Показано, что созданное дополнительное внутреннее тянущее поле способствует увеличению коэффициента термо-ЭДС. Численные расчеты проведены для р-п переходов на основе Si и Pb0.8Sn0.2Te. Դիտարկված է լեգիրացնող ծանծաղ ակցեպտորների անհամասեռ (էքսպոնենցիալ) բաշխվածության ազդեցությունը p-n անցման հիման վրա ստեղծված ջերմաէլեմենտի ջերմաԷԼՇՈՒ-ի վրա: Ցույց է տրված, որ ստեղծված լրացուցիչ ներքին ձգող դաշտը նպաստում է ջերմաԷԼՇՈՒ-ի գործակցի արժեքի աճին: Թվային հաշվարկները կատարված են Si-ից և Pb0,8Sn0,2Te-ից պատրաստված p-n անցումների համար: The influence of non-homogeneously (exponential) distribution of shallow acceptors on thermo-emf coefficient of the thermo element based on p-n junction is discussed. It is shown that the developed additional internal field facilitates the increase of thermo-emf coefficient. Numerical calculations are carried on for p-n junctions based on Si and Pb0.8Sn0.2Te.
Հրատարակութեան վայրը:
Երևան
Հրատարակիչ:
Ստեղծման ամսաթիւը:
Տեսակ:
Ձեւաչափ:
Դասիչ:
Թուայնացում:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան