Publication Details:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Other title:
Creator:
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Subject:
Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology
Uncontrolled Keywords:
Микаелян Л. А. ; Mikayelyan L. A. ; սիլիցիում կարբիդ ; խառնուրդային խորը մակարդակ ; կպչուն մակարդակ ; աղքատացած շերտ ; լիցքակիրների արագության հագեցում
Coverage:
Abstract:
Տեսականորեն հետազոտվել են սիլիցիում-կարբիդային Շոտկիի արգելքով կառավարվող դաշտային տրանզիստորներում ընթացող ֆիզիկական երևույթները ուղետարի տիրույթի կիսահաղորդչի արգելման գոտում լեգիրացնող խառնուրդների խորը և կպչուն մակարդակների առկայության դեպքում: Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել, որն ավելի ճշգրիտ է բնութագրում ռեալ սիլիցիում-կարբիդային սարքերում ընթացող երևույթները: Теоретически исследованы физические процессы, происходящие в SiC полевых транзисторах с барьером Шоттки (ПТШ) при наличии глубоких уровней и уровней прилипания (центры захвата) в запрещенной зоне полупроводника. Предложена новая модель, позволяющая более точно характеризовать физические процессы, происходящие в реальных SiC ПТШ. The physical processes in the Schottky barrier MESFET’s are theoretically examined, when the deep impurity and trap levels in the bandgap of channel are present. A new common model allowing to characterize more exactly the processes which take place in real SiC MESFET’s is suggested.
Place of publishing:
Երևան
Publisher:
Date created:
Type:
Format:
Call number:
Digitization:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան