Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Date of publication:

2003

Volume:

56

Number:

3

ISSN:

0002-306X

Official URL:

Other title:

Տրանզիստորային կառուցվածքների ձևավորման ճշտության գնահատումը միկրոսխեմաներում; Estimation of transistor structure formation accuracy in microcircuits

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Coverage:

461-467

Abstract:

Проведена экспериментальная оценка точности параметров интегральных микросхем по методу нерегулярного планирования экспериментов. Рассмотрен процесс формирования p-n перехода в транзисторной структуре. Осуществлен синтез приближенной модели диффузионного процесса, обеспечивающий удовлетворительную точность в необходимых диапазонах изменения параметров интегральных микросхем. Տրված է ինտեգրալ միկրոսխեմաների պարամետրերի չափման ճշտության փորձնական գնահատական` տրանզիստորներում p-n անցման ձևավորման ճշգրիտ և սինթեզված մաթեմատիկական մոդելների օգտագործմամբ: Սինթեզված մոտավոր մեթոդն ապահովում է բավարար ճշտություն: Experimental estimation of integral microcircuit parameter accuracy treated by a method of irregular experiment planning is given. P-n junction formation process in the transistor structure is viewed. An approximate model synthesis of diffusion process which provides satisfactory accuracy in necessary ranges for changing basis integral microcircuit parameters is realized.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2003-12-15

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:32114

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան