Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Оценка точности формирования транзисторной структуры в микросхемах
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Խորագիր:
Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Մելքոնյան Դ. Կ. ; Melkonyan D. K. ; диффузионный процесс ; электрофизические параметры ; преобразование распределения случайных величин
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Проведена экспериментальная оценка точности параметров интегральных микросхем по методу нерегулярного планирования экспериментов. Рассмотрен процесс формирования p-n перехода в транзисторной структуре. Осуществлен синтез приближенной модели диффузионного процесса, обеспечивающий удовлетворительную точность в необходимых диапазонах изменения параметров интегральных микросхем. Տրված է ինտեգրալ միկրոսխեմաների պարամետրերի չափման ճշտության փորձնական գնահատական` տրանզիստորներում p-n անցման ձևավորման ճշգրիտ և սինթեզված մաթեմատիկական մոդելների օգտագործմամբ: Սինթեզված մոտավոր մեթոդն ապահովում է բավարար ճշտություն: Experimental estimation of integral microcircuit parameter accuracy treated by a method of irregular experiment planning is given. P-n junction formation process in the transistor structure is viewed. An approximate model synthesis of diffusion process which provides satisfactory accuracy in necessary ranges for changing basis integral microcircuit parameters is realized.
Հրատարակության վայրը:
Երևան
Հրատարակիչ:
Ստեղծման ամսաթիվը:
Տեսակ:
Ձևաչափ:
Դասիչ:
Թվայնացում:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան