Օբյեկտ

Վերնագիր: A Built-in Self-Test System for External DRAM

Ստեղծողը:

Abgaryan, Gor A.

Տեսակ:

Հոդված

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Математические вопросы кибернетики и вычислительной техники=Կիբեռնետիկայի և հաշվողական տեխնիկայի մաթեմատիկական հարցեր=Mathematical problems of computer science

Հրապարակման ամսաթիւ:

2020

Հատոր:

54

ISSN:

2579-2784

Պաշտոնական URL:


Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Աբգարյան Գոռ Ա., Абгарян Гор А.

Այլ վերնագիր:

Ներկառուցված ինքնաթեստավորման համակարգ արտաքին դինամիկ հիշողությունների համար ; Архитектура встроенного самотестирования для динамических памятей

Ծածկոյթ:

80-87

Ամփոփում:

In the fast-growing Integrated Circuits (IC) industry, memory is one of the few keys to have systems with improved and fast performance. Only one transistor and a capacitor are required for Dynamic Random-Access Memory (DRAM) bit. It is widely used for mass storage. Although the high-efficiency tests are performed to provide the reliability of the memories, maintaining acceptable yield and quality is still the most critical task. To perform a high-speed effective test of DRAM memories, a built-in self-test (BIST) mechanism is proposed. Արագ զարգացող ինտեգրալ սխեմաների արդյունաբերության մեջ հիշողությունը այն հիմնական տարրերից մեկն է, որը հնարվորություն է տալիս կատարելագործել համակարգը և մեծացնել համակարգի արագագործությունը: Մեկ բիթ դինամիկ հիշողությունը պահանջում է միայն մեկ տրանզիստոր և մեկ ունակություն: Այն լայնորեն օգտագործվում է մեծ ծավալի տվյալներ պահպանելու համար: Չնայած հիշողությունների հուսալիությունն ապահովելու համար կատարվում են բարձր արդյունավետությամբ թեստեր, ընդունելի պիտանի ելքի և որակի պահպանումը դեռևս ամենակարևոր խնդիրն է: Դինամիկ հիշողության արագագործ և արդյունավետ թեստավորում իրականացնելու համար առաջարկվում է ներկառուցված ինքնաթեստավորման համակարգ: В быстрорастущей индустрии интегральных схем, память - одна из немногих ключей к созданию систем с улучшенной и быстрой производительностью. Для бита динамической памяти с произвольным доступом требуются только один транзистор и один конденсатор. Она широко используется для хранения массовой информации. Несмотря на то, что для обеспечения надежности памятей выполняются тесты с высокой эффективностью, поддержание приемлемого подходящего выхода и качества по-прежнему является наиболее важной задачей. Для быстрого и эффективного тестирования динамической памяти предлагается встроенный механизм самотестирования.

Հրատարակիչ:

Изд-во НАН РА

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:267513

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 8, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 22, 2021

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

29

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/291365

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Abgaryan, Gor A., A Built-in Self-Test System for External DRAM Dec 8, 2023

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն