Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Математические вопросы кибернетики и вычислительной техники=Կիբեռնետիկայի և հաշվողական տեխնիկայի մաթեմատիկական հարցեր=Mathematical problems of computer science

Հրապարակման ամսաթիւ:

2020

Հատոր:

53

ISSN:

2579-2784

Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Ղուլղազարյան Ռուբեն Գ․, Փիլիպոսյան Դավիթ Գ․, Սհոյան Միսակ Տ․, Ներսիսյան Հայկ Վ., Гулгазарян Рубен Г., Пилипосян Давит Г., Сгоян Мисак Т., Нерсисян Айк В.

Այլ վերնագիր:

Մեքենայական ուսուցման միջոցով ստեղծված էլեկտրաքիմիական նստեցման մոդելների կիրառումը քիմիա-մեխանիկական փայլեցման մոդելավորման համար; Использование моделей электрохимического осаждения основанных на машинном обучении для моделирования химико-механического полирования

Ծածկոյթ:

39-48

Ամփոփում:

Chemical mechanical polishing/planarization (CMP) is the primary process used for modern integrated circuits (IC) manufacturing. Modeling of the post-CMP surface profile is critical for detecting planarity hotspots prior to manufacturing and avoiding fatal failures of chips. Քիմիա-մեխանիկական փայլեցումը/պլանարիզացիան (CMP) հանդիսանում է ժամանակակից ինտեգրալ միկրոսխեմաների արտադրության հիմնական գործընթացը:CMP-ից առաջացած մակերևույթի պրոֆիլի մոդելավորումն ունի վճռորոշ նշանակություն արտադրությունից առաջ չիպերի պլանարության դեֆեկտների, տաք կետերիե (hotspots) ստացման և կրիտիկական խափանումերը բացահայտելու համար: Химико-механическое полирование/планаризация (CMP) - основной процесс, используемый в производстве современных интегральных микросхем. Моделирование профиля поверхности после CMP имеет решающее значение для дефектов планарности, «горячих точек» (hotspots) перед началом производства чипов и выявления их фатальных отказов.

Հրատարակիչ:

Изд-во НАН РА

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:261605

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան