Օբյեկտ

Վերնագիր: Impurity States in Gated Graphene Bilayer in a Magnetic Field

Ստեղծողը:

Avetisyan, A. A. ; A. P. Djotyan

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2019

Հատոր:

12

Համար:

3

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University, Department of Physics

Ծածկույթ:

248-253

Ամփոփում:

We develop a variational approach in momentum space for an impurity electron in bilayer graphene with an energy gap opened by perpendicular electric field. The binding energy of an impurity electron in gapped bilayer graphene is studied by this method and it is shown that the energy is monotonically increasing with the increase of the gap value. The dependence of the binding energy on the interlayer hopping parameter is also investigated. The method is extended for the investigation of impurity ground state energy in an external magnetic field.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2019-10-17

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23576

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

33

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26349

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Impurity States in Gated Graphene Bilayer in a Magnetic Field Dec 13, 2023

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն