Object

Title: Impurity States in Gated Graphene Bilayer in a Magnetic Field

Ստեղծողը:

Avetisyan, A. A. ; A. P. Djotyan

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2019

Հատոր:

12

Համար:

3

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University, Department of Physics

Ծածկոյթ:

248-253

Ամփոփում:

We develop a variational approach in momentum space for an impurity electron in bilayer graphene with an energy gap opened by perpendicular electric field. The binding energy of an impurity electron in gapped bilayer graphene is studied by this method and it is shown that the energy is monotonically increasing with the increase of the gap value. The dependence of the binding energy on the interlayer hopping parameter is also investigated. The method is extended for the investigation of impurity ground state energy in an external magnetic field.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2019-10-17

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23576

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

Dec 13, 2023

In our library since:

Feb 27, 2020

Number of object content hits:

34

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/26349

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

This page uses 'cookies'. More information