Հրապարակման մանրամասներ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Impurity States in Gated Graphene Bilayer in a Magnetic Field
Ստեղծողը:
Avetisyan, A. A. ; A. P. Djotyan
Համատեղ հեղինակները:
Yerevan State University, Department of Physics
Խորագիր:
Physics ; Quantum mechanics, field theories, and special relativity
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
We develop a variational approach in momentum space for an impurity electron in bilayer graphene with an energy gap opened by perpendicular electric field. The binding energy of an impurity electron in gapped bilayer graphene is studied by this method and it is shown that the energy is monotonically increasing with the increase of the gap value. The dependence of the binding energy on the interlayer hopping parameter is also investigated. The method is extended for the investigation of impurity ground state energy in an external magnetic field.