The ground state energy and the extend of the wavefunction of a neutral donor located near a semiconductor surface in the presence of a STM metallic tip held at a fixed potential is obtained within a variational approach. We apply the effective mass approximation and use a variational wavefunction that takes into account the influence of all image charges that arise due to the presence of a metallic tip. The latter lowers the shallow donor energy which is lower than in the case when the donor is located at the same distance near a plane semiconductor-metal interface. The ionization process of a donor center due to the tip positive voltage is considered. In the case of negative voltage on the tip we observe a nonmonotonic behavior of the impurity electron binding energy.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիվ:

Հատոր:

Համար:

ISSN:

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Ստեղծողը:

Համատեղ հեղինակները:

Խորագիր:

Ծածկույթ:

Ամփոփում:

Ստեղծման ամսաթիվը:

Տեսակ:

Ձևաչափ:

Բնօրինակի գտնվելու վայրը: