Հրապարակման մանրամասներ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
THRESHOLD VOLTAGE MODEL OF SiC SHORT CHANNEL MOSFET’s WITH DEEP IMPURITY LEVELS AND TRAPS
Ստեղծողը:
V. V. Buniatyan ; V. M. Hayrapetyan
Խորագիր:
Physics ; Electronic transport in condensed matter
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
A new model of short-channel SiC MOSFET’s threshold-voltage simulation is presented. The model is based on detailed analysis of the charge conservation law in the region bounded by the gate electrode and the semiconductor bulk.
Բովանդակություն:
Հրատարակության վայրը:
Թվայնացման հովանավորը: