The main trends in development of modern ICs (particularly employing MOS/CMOS structures) are related with decreasing of the integrated structures’ geometrical sizes, increasing of the integration density, decreasing of the power consumption, and increasing of the signal/noise ratio. As the wanted signal level is impossible to increase up to some certain critical level, there is a need to decrease internal noise level. In order to tackle the problem several methods are in use. Recently, a variation of MOS structures gate materials’ composition and structure has been successfully utilized [1]. In this article we present a short outline of fabrication technology, peculiarities of the current-voltage characteristics (CVC), and low-frequency noises of experimental samples of silicon MOS-like structures with tungsten (W), chromium (Cr), and iron (Fe) metallic contacts, which were prepared to estimate impact of phonons interface percolation dynamics on 1/f noise in semiconductor micro- and opto-electronic devices [2,3] .

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիվ:

Հատոր:

Համար:

ISSN:

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Ստեղծողը:

Համատեղ հեղինակները:

Խորագիր:

Ծածկույթ:

Ամփոփում:

Բովանդակություն:

Հրատարակության վայրը:

Թվայնացման հովանավորը:

Ստեղծման ամսաթիվը:

Տեսակ:

Ձևաչափ:

Բնօրինակի գտնվելու վայրը: