Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Исследование фототока в двухмерной n–p–n структуре с помощью сканирующего лазерного микроскопа
Other title:
Creator:
С. Г. Петросян ; А. М. Ханбекян
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Physics ; Science ; Optics; Light
Uncontrolled Keywords:
Պետրոսյան Ս. Գ. ; Խանբեկյան Ա. Մ. ; Petrosyan S. G. ; Khanbekyan A. M.
Coverage:
Abstract:
Экспериментально исследовался фототок, индуцированный при локальном возбуждении сфокусированным до 0.17 мкм световым пучком поверхности полупроводникового элемента в планарной структуре с двумя p–n переходами, т. е. с помощью так называемой методики сканирующей лазерной микроскопии. Փորձնականորեն հետազոտված է ֆոտոհոսանքի առաջացումը 0.17 մկմ կիզակետված լուսային փնջով հարթ կառուցվածքով երկչափ p–n անցումներով կիսահաղորդչային մակերեսի տեղային գրգռելով, այսպես կոչված սկանավորող լազերային մանրադիտակային եղանակով: The photocurrent induced under local excitation of the light beam focused up to 0.17 μm from the surface of semiconductor element in the planar structure with two p–n junctions, i. e., using the so-called scanning laser microscopy technique, was experimentally studied. The linear dependence of photocurrent on the coordinate of beam center is obtained.