Мемристоры на основе легированных литием пленок ZnO

Э. Е. Элбакян; Р. К. Овсепян; А. Р. Погосян

Ներբեռնել

Վերնագիր: Мемристоры на основе легированных литием пленок ZnO

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Լիթիումով լեգիրված ZnO թաղանթների հիմքի վրա մեմրիստորներ; Memristors Based on Lithium Doped ZnO Films

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

368-374

Ամփոփում:

Разработан и изучен мемристорный элемент памяти ReRAM. Разработанная структура состоит из диода Шоттки (1D) на основе гетероструктуры ZnO:Ga/ZnO:Li/ZnO и мемристора (1R) на основе гетероструктуры Pt/ZnO/ZnO:Li/Al. Մշակված և հետազոտված է օպերատիվ հիշողության սարքի մեմրիստորային տարր (resistance random access memory – ReRAM)։ Մշակված կառուցվածքը բաղկացած է Շոտկիի դիոդից (1D) հիմնված ZnO:Ga/ZnO:Li/ZnO հետերոկառուցվածքի վրա և մեմրիստորից (1R) հիմնված Pt/ZnO/ZnO:Li/Al հետերոկառուցվածքի վրա։ The memristor memory cell ReRAM has been developed and studied. The developed structure consists of a Schottky diode (1D) based on ZnO:Ga/ZnO:Li/ZnO heterostructure and memristor (1R) based on Pt/ZnO/ZnO:Li/Al heterostructure.